电荷平衡会影响激基复合物有机发光二极管的发光效率,然而对其背后的物理机制却缺乏充分的理解.本文利用有机磁效应包括磁电导(magneto-conductance,MC)、磁电致发光(magneto-electroluminescence,MEL)和磁效率(magneto-efficiency,Mη)作为指纹式探测工具来研究电荷平衡影响激基复合物器件发光效率的物理机制.实验发现,非平衡器件的MC曲线中快速上升的低场效应(low-field effects,MC_L,|B|≤10 mT)和缓慢下降的高场效应(high-field effects,MC_H,10 |B|≤300 mT)分别归因于被磁场调控的系间窜越(intersystem crossing,ISC)过程和三重态激基复合物与多余电荷之间的三重态-电荷湮灭(triplet-charge annihilation,TCA)过程.与非平衡器件不同,平衡器件中快速下降的MC_L和快速饱和的MC_H分别归因于被磁场调控的反向系间窜越(reverse intersystem crossing,RISC)过程和平衡的载流子注入.随着注入电流从200μA减小到25μA,非平衡器件中MEL曲线的低场效应(MEL_L)始终反映被磁场调控的ISC过程,然而平衡器件的MEL_L呈现从ISC向RISC过程的转换(ISC→RISC).另外,虽然非平衡和平衡器件中Mη曲线的低场效应(M_(ηL))都归因于被磁场调控的ISC过程,但是平衡器件中M_(ηL)的幅值为非平衡器件的～1/4.这两种器件中不同的MC,MEL和Mη曲线揭示平衡的载流子注入会通过减弱TCA过程来增加三重态激基复合物的数量,从而增强RISC过程.因为RISC可以将不能退激辐射的三重态激基复合物转换为能退激辐射的单重态激基复合物,所以平衡器件的发光效率比非平衡器件的更高.显然,本文利用有机磁效应对电荷平衡影响激基复合物器件发光效率这个现象提出了一种新的物理机制.