衬底温度对热丝CVD法沉积氧化钨的影响研究
通过热丝化学气相沉积法制备氧化钨(WO_x)薄膜,并将其应用于无掺杂异质结太阳电池。研究表明,衬底温度在沉积过程中起着重要作用,衬底温度从室温升高到200℃,WO_x薄膜的表面颗粒尺寸减小,薄膜更加致密;功函数先升高再迅速下降;透过率在150℃以内无...
太阳能学报
2025年03期
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