对由SiC FET与Si IGBT并联组成的新型混合器件（HY＿F）开展研究。首先，分析HY＿F的基本结构与工作原理，并搭建HY＿F的导通损耗模型、开通损耗模型以及关断损耗模型。其次，基于混合器件的仿真模型，分析HY＿F与传统Si IGBT/SiC ...