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铪基铁电材料及其器件的研究进展
天津市量子光学与智能光子学重点实验室天津理工大学理学院;
鲁东大学;
中国科学院物理研究所;
中国科学院大学
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杜剑宇
钟海
葛琛
开通知网号
铪基材料因其良好的互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性、高介电常数和超薄尺度下稳定的铁电性能,被视为类脑计算器件的潜在功能材料。本文探讨了铪基铁电材料的基本物性(包括晶体结构、铁电性起源及结构相变机制),并分析了其与类脑计算相关的关键特性(如铁电极...
机 构:
天津市量子光学与智能光子学重点实验室天津理工大学理学院;
鲁东大学;
中国科学院物理研究所;
中国科学院大学;
领 域:
材料科学;
关键词:
铪基材料;
相变;
铁电随机存储器;
铁电场效应晶体管;
铁电隧道结;
格 式:
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