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高活性CeO_2基研磨颗粒表面缺陷构筑及其化学机械抛光机理研究

陕西科技大学材料科学与工程学院 | 许宁马家辉雒玉欣林雨

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化学机械抛光(CMP)是目前唯一能实现对芯片表面原子级粗糙度的全局平坦化工艺,CeO_2基抛光液由于对SiO_2/Si_3N_4具有很高的选择比、抛光速率等特性而广泛应用于STI-CMP工艺。长期以来对STI-CMP技术的应用远超出对其原理的研究,由...

领　域:

无机化工；金属学及金属工艺；

关键词:

缺陷构筑；CeO_2磨粒；STI-CMP；抛光机理；

格　式:

PDF原版；EPUB自适应版(需下载客户端)

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中国稀土学会2023学术年会、第十五届中国包头·稀土产业论坛摘要集

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